○国立大学法人北海道大学ナノテクノロジープラットフォーム事業による設備利用規程
平成25年4月1日
海大達第53号
(趣旨)
第1条 この規程は,文部科学省の委託を受けて国立大学法人北海道大学(以下「本学」という。)が行うナノテクノロジープラットフォーム事業(以下「本事業」という。)に基づく設備の利用に関し,必要な事項を定めるものとする。
(目的)
第2条 本事業は,ナノテクノロジーに関する最先端の研究設備及びその活用技術を有する本学が,産学官の研究者に設備の幅広い利用の機会を提供することにより,ナノテクノロジーに関する産学官連携及び異分野融合につながる研究を推進することを目的とする。
(1) 本学の職員
(2) 本学の学部学生,大学院学生,聴講生,科目等履修生その他の本学において修学をしている者
(3) 本学の研究生,受託研究員その他本学において研究に従事している者
(4) 本学以外の大学,研究機関等に所属する者
(5) その他国立大学法人北海道大学創成研究機構長(以下「機構長」という。)が適当と認めた者
(利用形態)
第4条 本事業における設備の利用形態は,以下のとおりとする。
(1) 設備利用 利用対象者が本学において自ら設備の操作等を行う。
(2) 技術相談 利用対象者からの相談に対し,本事業の実施に係る支援業務に携わる職員(次号において「支援員」という。)が技術的な助言等を行う。
(3) 技術代行 利用対象者からの委託に基づき,支援員が設備を操作して各種加工及び解析を行う。
(申請及び許可)
第5条 本事業に基づく設備の利用を申請しようとする者は,別に定める申請書を機構長に提出し,その許可を受けなければならない。
2 機構長は,前項の申請があったときは,国立大学法人北海道大学創成研究機構規程(平成21年海大達第24号)第16条の4に規定するナノテクノロジー連携研究推進室(次項において「推進室」という。)に当該申請に係る審査を付託するものとする。
3 推進室は,機構長からの審査の付託があったときは,当該申請の内容が適当であるかについて審査を行い,その結果について機構長に報告するものとする
(1) 基本料及び利用料
(2) 技術代行料
イ 学内者 別表第1の第7欄に掲げる技術代行料の額に利用する時間数を乗じて得た額
ロ 学外者 別表第1の第8欄に掲げる技術代行料の額に利用する時間数を乗じて得た額
2 利用者が,技術相談を行ったときは,別表第2に定める技術相談料を納付しなければならない。
4 基本料,利用料,技術代行料及び技術相談料の納付は,学内者にあっては経費の振替により,学外者にあっては本学が指定する預金口座へ本学が指定する日までに振り込むことにより行うものとする。
(成果の報告)
第7条 利用者は,設備の利用期間の終了後,速やかに設備の利用により得られた研究成果等について,別に定める利用成果報告書(次条において「報告書」という。)により機構長に報告しなければならない。
(知的財産権の帰属)
第9条 学外者である利用者が,設備の利用により得た研究成果等に係る知的財産権は,原則として当該利用者に帰属するものとする。ただし,当該研究成果等が本学の職員と共同して得られたものである場合には,当該研究成果等に係る知的財産権の帰属については,機構長と利用者が協議の上,決定するものとする。
(秘密の保持)
第10条 本学の職員は,本事業に基づく設備の利用の過程において知り得た利用者及び利用内容に関する情報のうち,第8条の規定により公開する情報以外の情報について,利用者の同意がなければ,公開又は開示してはならない。ただし,当該情報が次のいずれかに該当する場合は,この限りでない。
(1) 公知の情報
(2) 本学の職員が既に保有していた情報
(3) 本学の職員が独自に開発又は取得した情報
(4) 本学の職員が秘密として扱うことが公共の利益を著しく損なう恐れがあると認められる情報
2 機構長は,前項第4号に該当する情報を公開しようとするときには,その理由を事前に利用者に通知するものとする。
(目的外利用の禁止)
第11条 利用者は,利用の承認を受けた目的以外に設備を利用し,又は第三者に利用させてはならない。
(損害賠償)
第13条 利用者は,故意又は重大な過失によりその利用に係る設備を滅失し,又は損傷したときは,その損害を賠償する責めに任ずるものとする。
(事務)
第14条 本事業に基づく設備の利用に関する事務は,研究推進部外部資金戦略課が処理する。
(雑則)
第15条 この規程に定めるもののほか,本事業に基づく設備の利用に関し必要な事項は,機構長が別に定める。
附 則
この規程は,平成25年4月1日から施行する。
別表第1(第6条関係)
設備 | メーカー | 型式 | 基本料 | 利用料 (1時間当たり) (学内者) | 利用料 (1時間当たり) (学外者) | 技術代行料 (1時間当たり) (学内者) | 技術代行料 (1時間当たり) (学外者) |
超高精度電子ビーム描画装置 125kV | エリオニクス | ELS―F125―U | 168,000円 | 2,656円 | 18,575円 | 6,156円 | 22,075円 |
超高精度電子ビーム描画装置 100kV | エリオニクス | ELS―7000HM | 168,000円 | 1,270円 | 16,741円 | 4,770円 | 20,241円 |
マスクアライナ | ミカサ | MA―20 | 3,500円 | 228円 | 968円 | 3,728円 | 4,468円 |
レーザー描画装置 | ネオアーク | DDB―201―200 | 14,000円 | 318円 | 318円 | 3,818円 | 3,818円 |
真空蒸着装置 | サンバック | ED―1500R | 7,000円 | 263円 | 915円 | 3,763円 | 4,415円 |
プラズマCVD装置 | サムコ | PD―220ESN | 7,000円 | 636円 | 3,828円 | 4,136円 | 7,328円 |
液体ソースプラズマCVD装置 | サムコ | PD―10C1 | 21,000円 | 148円 | 283円 | 3,648円 | 3,783円 |
ヘリコンスパッタリング装置 | アルバック | MPS―4000C1/HC1 | 10,500円 | 1,485円 | 2,934円 | 4,985円 | 6,434円 |
イオンビームスパッタ装置 | アルバック | IBS―6000S | 7,000円 | 482円 | 1,063円 | 3,982円 | 4,563円 |
原子層堆積装置 | Picosun | SUNALE―R | 14,000円 | 1,350円 | 1,350円 | 4,850円 | 4,850円 |
ICPドライエッチング装置 | 住友精密工業 | SPM―200 | 7,000円 | 836円 | 3,478円 | 4,336円 | 6,978円 |
反応性イオンエッチング装置 | サムコ | RIE―101iPH | 10,500円 | 1,051円 | 3,464円 | 4,551円 | 6,964円 |
反応性イオンエッチング装置 | サムコ | RIE―10NRV | 7,000円 | 458円 | 2,556円 | 3,958円 | 6,056円 |
ドライエッチング装置 | アルバック | NLD―500 | 10,500円 | 484円 | 1,216円 | 3,984円 | 4,716円 |
イオンミリング装置 | アルバック | IBE―6000S | 7,000円 | 385円 | 785円 | 3,885円 | 4,285円 |
真空紫外露光装置 | エヌ工房 | フォトクリエーター PC―01―H | 3,500円 | 104円 | 280円 | 3,604円 | 3,780円 |
電界放射型走査型電子顕微鏡 | 日本電子 | JSM―6700FT | 84,000円 | 654円 | 705円 | 4,154円 | 4,205円 |
電子ビーム描画装置 | エリオニクス | ELS―3700 | 10,500円 | 902円 | 1,798円 | 4,402円 | 5,298円 |
電子線描画装置 | エリオニクス | ELS―7300 | 28,000円 | 945円 | 4,762円 | 4,445円 | 8,262円 |
両面マスクアライナ | SUSS MicroTec | MA―6 | 28,000円 | 255円 | 2,549円 | 3,755円 | 6,049円 |
ECR加工装置 | エリオニクス | EIS―200ER | 17,500円 | 706円 | 1,308円 | 4,206円 | 4,808円 |
ICP加工装置 | エリオニクス | EIS―700S | 10,500円 | 782円 | 824円 | 4,282円 | 4,324円 |
超高真空5源ヘリコンスパッタ | 菅製作所 | Av028 | 10,500円 | 756円 | 2,026円 | 4,256円 | 5,526円 |
ALD製膜装置 | Cambride Nano Tech | Savannah 100 | 10,500円 | 1,041円 | 2,503円 | 4,541円 | 6,003円 |
抵抗加熱蒸着装置 | EDWARDS | AUTO―360 | 10,500円 | 148円 | 555円 | 3,648円 | 4,055円 |
スパッタ装置 | キヤノンアネルバ | SPF―210H | 10,500円 | 128円 | 363円 | 3,628円 | 3,863円 |
EB加熱・抵抗加熱蒸着装置 | アルバック | EBX―8C | 7,000円 | 1,617円 | 1,985円 | 5,117円 | 5,485円 |
EB加熱・抵抗加熱蒸着装置 | 菅製作所 | AV096―000 | 7,000円 | 789円 | 1,990円 | 4,289円 | 5,490円 |
FIB加工装置 | エリオニクス | EIP―3300 | 17,500円 | 1,079円 | 1,594円 | 4,579円 | 5,094円 |
環境試験器 | エスペック | SH―221 | 3,500円 | 49円 | 154円 | 3,549円 | 3,654円 |
デジタル顕微鏡 | ハイロックス | KH―7700 | 3,500円 | 56円 | 337円 | 3,556円 | 3,837円 |
ソーラシミュレータ | ワコム電創 | WXS―156S―L2,AM1.5GMM | 10,500円 | 696円 | 696円 | 4,196円 | 4,196円 |
別表第2(第6条関係)
技術相談料 (1時間当たり) |
3,500円 |