○国立大学法人北海道大学ナノテクノロジープラットフォーム事業による設備利用規程

平成25年4月1日

海大達第53号

(趣旨)

第1条 この規程は,文部科学省の委託を受けて国立大学法人北海道大学(以下「本学」という。)が行うナノテクノロジープラットフォーム事業(以下「本事業」という。)に基づく設備の利用に関し,必要な事項を定めるものとする。

(目的)

第2条 本事業は,ナノテクノロジーに関する最先端の研究設備及びその活用技術を有する本学が,産学官の研究者に設備の幅広い利用の機会を提供することにより,ナノテクノロジーに関する産学官連携及び異分野融合につながる研究を推進することを目的とする。

(利用対象者)

第3条 本事業に基づき設備を利用することができるのは,次の各号のいずれかに該当する者(次条において「利用対象者」という。)とする。

(1) 本学の職員

(2) 本学の学部学生,大学院学生,聴講生,科目等履修生その他の本学において修学をしている者

(3) 本学の研究生,受託研究員その他本学において研究に従事している者

(4) 本学以外の大学,研究機関等に所属する者

(5) その他国立大学法人北海道大学創成研究機構長(以下「機構長」という。)が適当と認めた者

(利用形態)

第4条 本事業における設備の利用形態は,以下のとおりとする。

(1) 設備利用 利用対象者が本学において自ら設備の操作等を行う。

(2) 技術相談 利用対象者からの相談に対し,本事業の実施に係る支援業務に携わる職員(次号において「支援員」という。)が技術的な助言等を行う。

(3) 技術代行 利用対象者からの委託に基づき,支援員が設備を操作して各種加工及び解析を行う。

(申請及び許可)

第5条 本事業に基づく設備の利用を申請しようとする者は,別に定める申請書を機構長に提出し,その許可を受けなければならない。

2 機構長は,前項の申請があったときは,国立大学法人北海道大学創成研究機構規程(平成21年海大達第24号)第16条の4に規定するナノテクノロジー連携研究推進室(次項において「推進室」という。)に当該申請に係る審査を付託するものとする。

3 推進室は,機構長からの審査の付託があったときは,当該申請の内容が適当であるかについて審査を行い,その結果について機構長に報告するものとする

4 機構長は,前項の報告に基づき,第1項の申請について承認するか否かの決定を行い,申請書を提出した者に速やかに通知するものとする。

(利用料等)

第6条 利用申請が承認された者(以下「利用者」という。)は,設備の利用形態及び別表第1の第1欄に掲げる設備の区分に応じて,基本料及び設備利用に要する費用の一部(以下「利用料」という。)又は技術代行に要する費用の一部(以下「技術代行料」という。)を納付するものとし,その額は,次の各号の区分に応じ当該各号に定める額とする。

(1) 基本料及び利用料

 第3条第1号から第3号までに掲げる者(以下「学内者」という。) 別表第1の第4欄に掲げる基本料の額と同表の第5欄に掲げる利用料の額に利用する時間数を乗じた額とを合算した額

 第3条第4号及び第5号に掲げる者(以下「学外者」という。) 別表第1の第4欄に掲げる基本料の額と同表の第6欄に掲げる利用料の額に利用する時間数を乗じた額とを合算した額

(2) 技術代行料

 学内者 別表第1の第7欄に掲げる技術代行料の額に利用する時間数を乗じて得た額

 学外者 別表第1の第8欄に掲げる技術代行料の額に利用する時間数を乗じて得た額

2 利用者が,技術相談を行ったときは,別表第2に定める技術相談料を納付しなければならない。

3 前2項の規定にかかわらず,機構長が特に認めるときは,前2項に規定する料金の全部又は一部を免除することができる。

4 基本料,利用料,技術代行料及び技術相談料の納付は,学内者にあっては経費の振替により,学外者にあっては本学が指定する預金口座へ本学が指定する日までに振り込むことにより行うものとする。

(成果の報告)

第7条 利用者は,設備の利用期間の終了後,速やかに設備の利用により得られた研究成果等について,別に定める利用成果報告書(次条において「報告書」という。)により機構長に報告しなければならない。

(成果の公開)

第8条 機構長は,前条の規定により提出された報告書を速やかに公開するものとする。ただし,知的財産権(知的財産基本法(平成14年法律第122号)第2条第2項に規定する知的財産権をいう。次条において同じ。)の取得その他の理由で利用者が公開の延長を希望する場合には,報告書の提出された日から2年を超えない期間,公開を延期することができる。

2 前項に定めるもののほか,機構長は,本事業に基づく設備の利用により得られた研究成果等の内容について,前項の規定によらないで公開しようとする場合には,公開の時期,方法,内容等について,利用者と協議の上,適切に定めるものとする。

(知的財産権の帰属)

第9条 学外者である利用者が,設備の利用により得た研究成果等に係る知的財産権は,原則として当該利用者に帰属するものとする。ただし,当該研究成果等が本学の職員と共同して得られたものである場合には,当該研究成果等に係る知的財産権の帰属については,機構長と利用者が協議の上,決定するものとする。

(秘密の保持)

第10条 本学の職員は,本事業に基づく設備の利用の過程において知り得た利用者及び利用内容に関する情報のうち,第8条の規定により公開する情報以外の情報について,利用者の同意がなければ,公開又は開示してはならない。ただし,当該情報が次のいずれかに該当する場合は,この限りでない。

(1) 公知の情報

(2) 本学の職員が既に保有していた情報

(3) 本学の職員が独自に開発又は取得した情報

(4) 本学の職員が秘密として扱うことが公共の利益を著しく損なう恐れがあると認められる情報

2 機構長は,前項第4号に該当する情報を公開しようとするときには,その理由を事前に利用者に通知するものとする。

(目的外利用の禁止)

第11条 利用者は,利用の承認を受けた目的以外に設備を利用し,又は第三者に利用させてはならない。

(取消等)

第12条 機構長は,利用者がこの規程に違反し,又は本学の職員の指示に従わず,設備の利用に重大な支障を生じさせたときは,第5条第1項の許可を取り消し,又は本事業の利用を停止させることができる。

(損害賠償)

第13条 利用者は,故意又は重大な過失によりその利用に係る設備を滅失し,又は損傷したときは,その損害を賠償する責めに任ずるものとする。

(事務)

第14条 本事業に基づく設備の利用に関する事務は,研究推進部外部資金戦略課が処理する。

(雑則)

第15条 この規程に定めるもののほか,本事業に基づく設備の利用に関し必要な事項は,機構長が別に定める。

附 則

この規程は,平成25年4月1日から施行する。

別表第1(第6条関係)

設備

メーカー

型式

基本料

利用料

(1時間当たり)

(学内者)

利用料

(1時間当たり)

(学外者)

技術代行料

(1時間当たり)

(学内者)

技術代行料

(1時間当たり)

(学外者)

超高精度電子ビーム描画装置 125kV

エリオニクス

ELS―F125―U

168,000円

2,656円

18,575円

6,156円

22,075円

超高精度電子ビーム描画装置 100kV

エリオニクス

ELS―7000HM

168,000円

1,270円

16,741円

4,770円

20,241円

マスクアライナ

ミカサ

MA―20

3,500円

228円

968円

3,728円

4,468円

レーザー描画装置

ネオアーク

DDB―201―200

14,000円

318円

318円

3,818円

3,818円

真空蒸着装置

サンバック

ED―1500R

7,000円

263円

915円

3,763円

4,415円

プラズマCVD装置

サムコ

PD―220ESN

7,000円

636円

3,828円

4,136円

7,328円

液体ソースプラズマCVD装置

サムコ

PD―10C1

21,000円

148円

283円

3,648円

3,783円

ヘリコンスパッタリング装置

アルバック

MPS―4000C1/HC1

10,500円

1,485円

2,934円

4,985円

6,434円

イオンビームスパッタ装置

アルバック

IBS―6000S

7,000円

482円

1,063円

3,982円

4,563円

原子層堆積装置

Picosun

SUNALE―R

14,000円

1,350円

1,350円

4,850円

4,850円

ICPドライエッチング装置

住友精密工業

SPM―200

7,000円

836円

3,478円

4,336円

6,978円

反応性イオンエッチング装置

サムコ

RIE―101iPH

10,500円

1,051円

3,464円

4,551円

6,964円

反応性イオンエッチング装置

サムコ

RIE―10NRV

7,000円

458円

2,556円

3,958円

6,056円

ドライエッチング装置

アルバック

NLD―500

10,500円

484円

1,216円

3,984円

4,716円

イオンミリング装置

アルバック

IBE―6000S

7,000円

385円

785円

3,885円

4,285円

真空紫外露光装置

エヌ工房

フォトクリエーター PC―01―H

3,500円

104円

280円

3,604円

3,780円

電界放射型走査型電子顕微鏡

日本電子

JSM―6700FT

84,000円

654円

705円

4,154円

4,205円

電子ビーム描画装置

エリオニクス

ELS―3700

10,500円

902円

1,798円

4,402円

5,298円

電子線描画装置

エリオニクス

ELS―7300

28,000円

945円

4,762円

4,445円

8,262円

両面マスクアライナ

SUSS MicroTec

MA―6

28,000円

255円

2,549円

3,755円

6,049円

ECR加工装置

エリオニクス

EIS―200ER

17,500円

706円

1,308円

4,206円

4,808円

ICP加工装置

エリオニクス

EIS―700S

10,500円

782円

824円

4,282円

4,324円

超高真空5源ヘリコンスパッタ

菅製作所

Av028

10,500円

756円

2,026円

4,256円

5,526円

ALD製膜装置

Cambride Nano Tech

Savannah 100

10,500円

1,041円

2,503円

4,541円

6,003円

抵抗加熱蒸着装置

EDWARDS

AUTO―360

10,500円

148円

555円

3,648円

4,055円

スパッタ装置

キヤノンアネルバ

SPF―210H

10,500円

128円

363円

3,628円

3,863円

EB加熱・抵抗加熱蒸着装置

アルバック

EBX―8C

7,000円

1,617円

1,985円

5,117円

5,485円

EB加熱・抵抗加熱蒸着装置

菅製作所

AV096―000

7,000円

789円

1,990円

4,289円

5,490円

FIB加工装置

エリオニクス

EIP―3300

17,500円

1,079円

1,594円

4,579円

5,094円

環境試験器

エスペック

SH―221

3,500円

49円

154円

3,549円

3,654円

デジタル顕微鏡

ハイロックス

KH―7700

3,500円

56円

337円

3,556円

3,837円

ソーラシミュレータ

ワコム電創

WXS―156S―L2,AM1.5GMM

10,500円

696円

696円

4,196円

4,196円

別表第2(第6条関係)

技術相談料

(1時間当たり)

3,500円

国立大学法人北海道大学ナノテクノロジープラットフォーム事業による設備利用規程

平成25年4月1日 海大達第53号

(平成25年4月1日施行)